Muutke küpsiste eelistusi

E-raamat: Advanced High Speed Devices

Edited by (Rensselaer Polytechnic Inst, Usa), Edited by (Us Office Of Naval Research, Usa)
Teised raamatud teemal:
  • Formaat - PDF+DRM
  • Hind: 54,99 €*
  • * hind on lõplik, st. muud allahindlused enam ei rakendu
  • Lisa ostukorvi
  • Lisa soovinimekirja
  • See e-raamat on mõeldud ainult isiklikuks kasutamiseks. E-raamatuid ei saa tagastada.
  • Raamatukogudele
Teised raamatud teemal:

DRM piirangud

  • Kopeerimine (copy/paste):

    ei ole lubatud

  • Printimine:

    ei ole lubatud

  • Kasutamine:

    Digitaalõiguste kaitse (DRM)
    Kirjastus on väljastanud selle e-raamatu krüpteeritud kujul, mis tähendab, et selle lugemiseks peate installeerima spetsiaalse tarkvara. Samuti peate looma endale  Adobe ID Rohkem infot siin. E-raamatut saab lugeda 1 kasutaja ning alla laadida kuni 6'de seadmesse (kõik autoriseeritud sama Adobe ID-ga).

    Vajalik tarkvara
    Mobiilsetes seadmetes (telefon või tahvelarvuti) lugemiseks peate installeerima selle tasuta rakenduse: PocketBook Reader (iOS / Android)

    PC või Mac seadmes lugemiseks peate installima Adobe Digital Editionsi (Seeon tasuta rakendus spetsiaalselt e-raamatute lugemiseks. Seda ei tohi segamini ajada Adober Reader'iga, mis tõenäoliselt on juba teie arvutisse installeeritud )

    Seda e-raamatut ei saa lugeda Amazon Kindle's. 

Advanced High Speed Devices covers five areas of advanced device technology: terahertz and high speed electronics, ultraviolet emitters and detectors, advanced III-V field effect transistors, III-N materials and devices, and SiC devices. These emerging areas have attracted a lot of attention and the up-to-date results presented in the book will be of interest to most device and electronics engineers and scientists. The contributors range from prominent academics, such as Professor Lester Eastman, to key US Government scientists, such as Dr Michael Wraback.
THz and High Speed Electronics; Ultraviolet Emitters and Detectors;
Advanced III-V Field Effect Transistors; III-N Materials and Devices; SiC
Devices.