Muutke küpsiste eelistusi

E-raamat: Charge-Trapping Non-Volatile Memories: Volume 2--Emerging Materials and Structures

  • Formaat: EPUB+DRM
  • Ilmumisaeg: 14-Feb-2017
  • Kirjastus: Springer International Publishing AG
  • Keel: eng
  • ISBN-13: 9783319487052
  • Formaat - EPUB+DRM
  • Hind: 110,53 €*
  • * hind on lõplik, st. muud allahindlused enam ei rakendu
  • Lisa ostukorvi
  • Lisa soovinimekirja
  • See e-raamat on mõeldud ainult isiklikuks kasutamiseks. E-raamatuid ei saa tagastada.
  • Formaat: EPUB+DRM
  • Ilmumisaeg: 14-Feb-2017
  • Kirjastus: Springer International Publishing AG
  • Keel: eng
  • ISBN-13: 9783319487052

DRM piirangud

  • Kopeerimine (copy/paste):

    ei ole lubatud

  • Printimine:

    ei ole lubatud

  • Kasutamine:

    Digitaalõiguste kaitse (DRM)
    Kirjastus on väljastanud selle e-raamatu krüpteeritud kujul, mis tähendab, et selle lugemiseks peate installeerima spetsiaalse tarkvara. Samuti peate looma endale  Adobe ID Rohkem infot siin. E-raamatut saab lugeda 1 kasutaja ning alla laadida kuni 6'de seadmesse (kõik autoriseeritud sama Adobe ID-ga).

    Vajalik tarkvara
    Mobiilsetes seadmetes (telefon või tahvelarvuti) lugemiseks peate installeerima selle tasuta rakenduse: PocketBook Reader (iOS / Android)

    PC või Mac seadmes lugemiseks peate installima Adobe Digital Editionsi (Seeon tasuta rakendus spetsiaalselt e-raamatute lugemiseks. Seda ei tohi segamini ajada Adober Reader'iga, mis tõenäoliselt on juba teie arvutisse installeeritud )

    Seda e-raamatut ei saa lugeda Amazon Kindle's. 

This book describes the technology of charge-trapping non-volatile memories and their uses. The authors explain the device physics of each device architecture and provide a concrete description of the materials involved and the fundamental properties of the technology. Modern material properties, used as charge-trapping layers, for new applications are introduced.









Provides a comprehensive overview of the technology for charge-trapping non-volatile memories;

Details new architectures and current modeling concepts for non-volatile memory devices;

Focuses on conduction through multi-layer gate dielectrics stacks.
Materials and Device Reliability in SONOS Memories.- Charge-Trap-Non-Volatile Memory and Focus on Flexible Flash Memory Devices.- Hybrid Memories Based on Redox Molecules.- Organic Floating-Gate Memory Structures.- Nanoparticles Based Flash-like Non Volatile Memories: Cluster Beam Synthesis of Metallic Nanoparticles and Challenges for the Overlying Control Oxide Layer.
Panagiotis Dimitrakis is at the Institute of Advanced Materials Physicochemical Processes Nanotechnology & Microsystems at the National Centre for Scientific Research, Greece.